Izuo Hayashi
Biographie
Diplômé de la faculté des sciences de l'université de Tokyo en 1946, il travaille comme assistant professeur à l'Institut de recherche nucléaire de la même université jusqu'à l'obtention de son Ph.D. en 1962. Par la suite, il passe un an au MIT, puis travaille sur les lasers semi-conducteurs aux laboratoires Bell entre 1964 et 1971.
En 1971, il travaille aux laboratoires de recherche de NEC, où il poursuit son étude des lasers semi-conducteurs. Entre 1982 et 1987, il est chef d'équipe, puis, de 1987 à 1994, directeur du laboratoire Optoelectronics Technology Research Laboratory de Tsukuba. De 1994 jusqu'à sa retraite en 1996, il est consultant au même laboratoire.
Hayashi meurt d'une leucémie aiguë en 2005[1],[2].
Distinctions
- 1946 : Prix Fujiwara, Japon.
- 1975 : Prix de l'Institute of Electronics and Communication Engineers, Japon.
- 1984 : Prix J. J. Ebers (en), IEEE.
- 1986 :
- Prix Asahi, Japon.
- Prix C&C (en) (avec Morton B. Panish), Japon.
- 1988 : Prix IEEE David Sarnoff (en) (1988)
- 1993 : Prix Marconi
- 2001 :
- Prix de physique appliquée, Japon.
- Prix de Kyoto, Japon[1].
Notes et références
(en) Cet article est partiellement ou en totalité issu de l’article de Wikipédia en anglais intitulé « Izuo Hayashi » (voir la liste des auteurs).
- (en)Izuo Hayashi. Inamori Foundation
- (ja)Obituaire de Izuo Hayashi. The Engineering Academy of Japan
Portail de la physique 
Portail du Japon
Cet article est issu de Wikipedia. Le texte est sous licence Creative Commons – Attribution – Partage à l’identique. Des conditions supplémentaires peuvent s’appliquer aux fichiers multimédias.